- Pinout
- Footprint
Immagini a scopo illustrativo
Modelli EDAEasyEDA
WILLSEMI WPM2087-3/TR
| Produttore | WILLSEMIAsian Brands |
| Cod. Prod. | WPM2087-3/TR |
| Cod. LCSC | C910990 |
| Imballo | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23 |
| Scheda Tecnica | WILLSEMI WPM2087-3/TR |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | WILLSEMI | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 126pF | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 750mV | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 108pF | |
| RDS(on) | 34mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.182nF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | WILLSEMI | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 126pF | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.6A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 750mV | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 108pF | |
| RDS(on) | 34mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.182nF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | P-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
The WPM2087 is P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC conversion, power switch and charging circuit. Standard Product WPM2087 is Pb-free.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Trench Technology
- Supper high density cell design
- Excellent ON resistance
- Extremely Low Threshold Voltage
- Small package SOT-23
Applicazioni
Traduzione AI
- DC/DC converters
- Power supply converters circuit
- Load/Power Switching for portable device
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Esaurito
Avvisami
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.1481 | $ 0.74 |
| 50+ | $ 0.1275 | $ 6.38 |
| 150+ | $ 0.1172 | $ 17.58 |
| 500+ | $ 0.1095 | $ 54.75 |
| 3,000+ | $ 0.0958 | $ 287.40 |
| 6,000+ | $ 0.0927 | $ 556.20 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | WILLSEMI | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 126pF | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 750mV | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 108pF | |
| RDS(on) | 34mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.182nF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | WILLSEMI | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 126pF | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.6A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 750mV | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 108pF | |
| RDS(on) | 34mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.182nF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | P-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
The WPM2087 is P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC conversion, power switch and charging circuit. Standard Product WPM2087 is Pb-free.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Trench Technology
- Supper high density cell design
- Excellent ON resistance
- Extremely Low Threshold Voltage
- Small package SOT-23
Applicazioni
Traduzione AI
- DC/DC converters
- Power supply converters circuit
- Load/Power Switching for portable device
C910990 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WPM2080-3/TR | WILLSEMI | Simili | SOT-23-3L | 3,000 | $ 0.064 | ||
| WPM3401-3/TR | WILLSEMI | Simili | SOT-23-3L | 9,345 | $ 0.0981 | ||
| WPM3407-3/TR | WILLSEMI | Simili | SOT-23 | 11,835 | $ 0.1042 | ||
| WPM3020-3/TR | WILLSEMI | Simili | SOT-23 | 115 | $ 0.1235 | ||
| WPM2341-3/TR | WILLSEMI | Simili | SOT-23 | 1,740 | $ 0.0678 |
5 altri componenti alternativi.Visualizza tutti i sostituti