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GeneSiC Semiconductor MBRT40080R
| 제조업체 | |
| 제조사 품번 | MBRT40080R |
| LCSC 번호 | C6903288 |
| 포장 | - |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 1 Pair Common Anode 400A 80V 880mV@200A Diode Arrays RoHS |
| 데이터시트 | GeneSiC Semiconductor MBRT40080R |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 포장 | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 3kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode | |
| Current - Rectified | 400A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 80V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 880mV@200A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@20V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 포장 | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 3kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Rectified | 400A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 80V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 880mV@200A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@20V |
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주요 특징
AI 번역
- High surge capability
- Reverse repetitive peak voltage (VRRM) range: 45 V ~ 100 V
- Isolated package
- Electrically isolated baseplate
- Insensitive to ESD
- Triple tower package
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| 수량 | 단가(참고용) | 총액 |
|---|---|---|
| 1+ | $ 273.8526 | $ 273.85 |
| 200+ | $ 109.27 | $ 21854.00 |
| 480+ | $ 105.6177 | $ 50696.50 |
| 1,000+ | $ 103.8146 | $ 103814.60 |
표준 패키지40/Full Bag | ||
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 포장 | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 3kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode | |
| Current - Rectified | 400A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 80V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 880mV@200A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@20V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 포장 | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 3kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Rectified | 400A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 80V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 880mV@200A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@20V |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- High surge capability
- Reverse repetitive peak voltage (VRRM) range: 45 V ~ 100 V
- Isolated package
- Electrically isolated baseplate
- Insensitive to ESD
- Triple tower package
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |