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AOS AOW11S60

Fabricante
AOS
Cód. da peça
AOW11S60
Nº LCSC
C5564026
Emb.
TO-262
Número do Cliente
Atrib. princ.
178W 600V 11A 399mΩ@10V 1 N-channel N-Channel TO-262 Single FETs, MOSFETs RoHS
Folha de DadosAOS AOW11S60
Conformidade RoHS1 documentos disponíveis
Peças alternativas5
Garantia em cada pedido
100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias

Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteAOS
Emb.TO-262
Output Capacitance(Coss)37.3pF
Ciss-Input Capacitance545pF
Pd - Power Dissipation178W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage600V
Current - Continuous Drain(Id)11A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)1.42pF
RDS(on)399mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)11nC@10V
Vgs±30V
TypeN-Channel
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.8V
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Descrição

Tradução por IA

AOW11S60 and AOWF11S60 are manufactured using advanced αMOS high-voltage process technology, designed to deliver high performance and high reliability for switching applications. These devices feature low on-resistance (RDS(on)), low gate charge (Qg), and low output capacitance energy storage (EOSS), along with guaranteed avalanche capability, enabling rapid adoption in both new and existing off-line power supply designs.