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VBsemi Elec VBM1806
| Fabricante | VBsemi ElecAsian Brands |
| Cód. da peça | VBM1806 |
| Nº LCSC | C481022 |
| Emb. | ITO-220AB-3 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET N-CH 80V 120A ITO-220AB-3 |
| Folha de Dados | VBsemi Elec VBM1806 |
| Peças alternativas | 5 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | ITO-220AB-3 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.4nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 7nF | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 560pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 35.5nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | ITO-220AB-3 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.4nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 7nF |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 560pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 35.5nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Type | N-Channel |
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Recursos
Tradução por IA
- Trench power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
- RoHS compliant
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Especificações do Produto
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| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | ITO-220AB-3 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.4nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 7nF | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 560pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 35.5nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | ITO-220AB-3 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.4nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 7nF |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 560pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 35.5nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Type | N-Channel |
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Recursos
Tradução por IA
- Trench power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
- RoHS compliant
C481022 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |