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UMW 30N06

Fabricante
UMWAsian Brands
N.º de pieza fab.
30N06
Nº LCSC
C369599
Emb.
TO-252
Número de Cliente
Atrib. clave
MOSFET N-CH 60V 30A TO-252
Hoja de DatosUMW 30N06
Cumplimiento RoHS2 documentos disponibles
Piezas alternativas5
Garantía en cada pedido
100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteUMW
Emb.TO-252
Output Capacitance(Coss)-
Ciss-Input Capacitance1.562nF
Pd - Power Dissipation55W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage60V
Current - Continuous Drain(Id)30A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)66.8pF
RDS(on)23mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)25nC@10V
Vgs-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.6V
TypeN-Channel
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Descripción

Traducción por IA

30N06 utilizes advanced trench technology and design to deliver excellent RDS(ON) with low gate charge. It is suitable for a wide range of applications.

Características

Traducción por IA
  • Advanced trench technology
  • Excellent RDS(ON) and low gate charge
  • VDS(V) = 60 V
  • ID = 30 A \left(VGS = 10 V\right)
  • RDS(ON)< 23 m Ω \left(VGS=10 V\right)
  • RDS(ON)< 29 m Ω \left(VGS=4.5 V\right)
  • Lead-free certified

Aplicaciones

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