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EDA 모델EasyEDA
LRC LP3443LT1G
| 제조업체 | LRCAsian Brands |
| 제조사 품번 | LP3443LT1G |
| LCSC 번호 | C354989 |
| 포장 | SOT-23E |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | MOSFET P-CH 20V 4.7A SOT-23E |
| 데이터시트 | LRC LP3443LT1G |
| 대체 부품 | 3 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | LRC | |
| 포장 | SOT-23E | |
| Output Capacitance(Coss) | 88.5pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 797.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.7A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 74.8pF | |
| RDS(on) | 110mΩ@2.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 16.6nC@10V | |
| Vgs | ±12V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | LRC | |
| 포장 | SOT-23E | |
| Output Capacitance(Coss) | 88.5pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 797.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.7A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 74.8pF | |
| RDS(on) | 110mΩ@2.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 16.6nC@10V | |
| Vgs | ±12V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Type | P-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- VDS = -20V
- RDS(ON) ≤ 70mΩ, @VGS = 4.5V, IDS = 4.7A
- RDS(ON) ≤ 110mΩ, @VGS = 2.5V, IDS = -1.0A
- We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free
- S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC - Q101 qualified and PPAP capable
- ESD rating of class 0 (<100V) per Human Body Model
응용 분야
AI 번역
- Advanced trench process technology
- High-density cell design for ultra-low on-resistance
모든 주문 보장
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재고 있음: 8,110
8,110 재고 있음, 당일 발송
최소값: 10배수: 10판매 단위: Piece
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| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 10+ | $ 0.0695 | $ 0.70 |
| 100+ | $ 0.0554 | $ 5.54 |
| 300+ | $ 0.0483 | $ 14.49 |
| 3,000+ | $ 0.0427 | $ 128.10 |
| 6,000+ | $ 0.0384 | $ 230.40 |
| 9,000+ | $ 0.0363 | $ 326.70 |
표준 패키지3000/Full Reel | ||
수량이 많을수록 더 좋은 가격?
$
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | LRC | |
| 포장 | SOT-23E | |
| Output Capacitance(Coss) | 88.5pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 797.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.7A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 74.8pF | |
| RDS(on) | 110mΩ@2.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 16.6nC@10V | |
| Vgs | ±12V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | LRC | |
| 포장 | SOT-23E | |
| Output Capacitance(Coss) | 88.5pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 797.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.7A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 74.8pF | |
| RDS(on) | 110mΩ@2.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 16.6nC@10V | |
| Vgs | ±12V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Type | P-Channel |
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주요 특징
AI 번역
- VDS = -20V
- RDS(ON) ≤ 70mΩ, @VGS = 4.5V, IDS = 4.7A
- RDS(ON) ≤ 110mΩ, @VGS = 2.5V, IDS = -1.0A
- We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free
- S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC - Q101 qualified and PPAP capable
- ESD rating of class 0 (<100V) per Human Body Model
응용 분야
AI 번역
- Advanced trench process technology
- High-density cell design for ultra-low on-resistance
C354989 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
대체 부품
| MPN | 제조사 | 대체 유형 | 포장 | 재고 현황 | 단가 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LP9435LT1G | LRC | 유사 제품 | SOT-23 | 2,310 | $ 0.0606 | ||
| S-LPB3407LT1G | LRC | 유사 제품 | SOT-23 | 0 | $ 0.1846 | ||
| LPB3408LT1G | LRC | 유사 제품 | SOT-23LC | 0 | $ 0.4629 |