LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Anmelden
USD
Warenkorb
onsemi MTP5P25 product image
Abbildung ähnlich

onsemi MTP5P25

Hersteller
onsemi
Herst.-Teilenr.
MTP5P25
LCSC-Nr.
C3277149
Verp.
-
Kundennummer
Hauptmerkm.
P-Channel, Current:5A, Voltage:250V
Datenblattonsemi MTP5P25
Garantie auf jede Bestellung
100% Authentisch · 30-Tage-Rückgabe oder -Umtausch
Nicht vorrätig
Benachrichtigen
Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
Zur BOM-Liste hinzufügen
Stk.E-Preis(Nur als Referenz)Gesamtbetrag
1+$ 0.5972$ 0.60
200+$ 0.2315$ 46.30
500+$ 0.2238$ 111.90
1,000+$ 0.2192$ 219.20
Standardgehäuse1/Full Bag
Besserer Preis bei größerer Menge?
$

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Herstelleronsemi
Verp.-
Drain to Source Voltage250V
Operating Temperature-65℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)400pF
Current - Continuous Drain(Id)5A
Ciss-Input Capacitance1.6nF
Pd - Power Dissipation75W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)250pF
RDS(on)3Ω@10V
Gate Charge(Qg)15nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4.5V
TypeP-Channel
Hilfe & FeedbackÄhnliche Produkte anzeigen (0) >

Beschreibung

KI-Übersetzung

This TMOS power FET is designed for medium-voltage, high-speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoids, and motor drivers.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Silicon gate for fast switching speed — switching times specified at 100°C
  • Design data — IDSS, VDS(on), VGS(threshold), and SOA specified at elevated temperatures
  • Rugged — SOA limited by power dissipation
  • Source-to-drain diode characteristics suitable for inductive loads

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Switching Regulators - Converters - Solenoid and Motor Drivers