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JSCJ CJAB55P03

Fabricante
JSCJAsian Brands
N.º de pieza fab.
CJAB55P03
Nº LCSC
C2910050
Emb.
PDFNWB3.3x3.3-8L
Número de Cliente
Atrib. clave
MOSFET P-CH 30V 55A PDFNWB3.3x3.3-8L
Hoja de DatosJSCJ CJAB55P03
Piezas alternativas1
Garantía en cada pedido
100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteJSCJ
Emb.PDFNWB3.3x3.3-8L
Output Capacitance(Coss)830pF
Ciss-Input Capacitance5.9nF
Pd - Power Dissipation59W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage30V
Current - Continuous Drain(Id)55A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)550pF
RDS(on)15mΩ@4.5V
Number1 P-Channel
Gate Charge(Qg)34.3nC@4.5V
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
TypeP-Channel

Descripción

Traducción por IA

The CJAB55P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

Características

Traducción por IA
  • High density cell design for ultra low RDS(ON)
  • Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS

Aplicaciones

Traducción por IA
  • Battery and loading switching