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Modelli EDAEasyEDA
onsemi FDN338P
| Produttore | |
| Cod. Prod. | FDN338P |
| Cod. LCSC | C24855 |
| Imballo | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23 |
| Scheda Tecnica | onsemi FDN338P |
| Conformità RoHS | 4 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 75pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 451pF | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.6A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 33pF | |
| RDS(on) | 155mΩ@2.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 75pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 451pF | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.6A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 33pF | |
| RDS(on) | 155mΩ@2.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | P-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This 2.5V-specified P-channel MOSFET is fabricated using an advanced low-voltage PowerTrench process. It is optimized for battery power management applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- -1.6 A, -20 V. RDS(ON) = 115 mΩ at VGS = -4.5 V
- RDS(ON) = 155 mΩ at VGS = -2.5 V
- Fast switching speed
- High-performance trench technology for ultra-low RDS(ON)
- SuperSOT-3 delivers low RDS(ON) in the same package size with 30% higher power handling capability than SOT23
Applicazioni
Traduzione AI
- Battery Management - Load Switch - Battery Protection
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Disponibile: 7,325
7,325 Pronta consegna
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.2454 | $ 1.23 |
| 50+ | $ 0.1903 | $ 9.52 |
| 150+ | $ 0.1666 | $ 24.99 |
| 500+ | $ 0.1371 | $ 68.55 |
| 3,000+ | $ 0.124 | $ 372.00 |
| 6,000+ | $ 0.1161 | $ 696.60 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 75pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 451pF | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.6A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 33pF | |
| RDS(on) | 155mΩ@2.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 75pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 451pF | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.6A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 33pF | |
| RDS(on) | 155mΩ@2.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | P-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This 2.5V-specified P-channel MOSFET is fabricated using an advanced low-voltage PowerTrench process. It is optimized for battery power management applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- -1.6 A, -20 V. RDS(ON) = 115 mΩ at VGS = -4.5 V
- RDS(ON) = 155 mΩ at VGS = -2.5 V
- Fast switching speed
- High-performance trench technology for ultra-low RDS(ON)
- SuperSOT-3 delivers low RDS(ON) in the same package size with 30% higher power handling capability than SOT23
Applicazioni
Traduzione AI
- Battery Management - Load Switch - Battery Protection
C24855 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |