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ST STH3N150-2

Fabricante
ST
N.º de pieza fab.
STH3N150-2
Nº LCSC
C221471
Emb.
H2PAK-2
Número de Cliente
Atrib. clave
MOSFET N-CH 1.5kV 2.5A H2PAK-2
Hoja de DatosST STH3N150-2
Cumplimiento RoHS3 documentos disponibles
Piezas alternativas1
Garantía en cada pedido
100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteST
Emb.H2PAK-2
Output Capacitance(Coss)102pF
Ciss-Input Capacitance939pF
Pd - Power Dissipation140W
Configuration-
Operating Temperature-50℃~+150℃
Drain to Source Voltage1.5kV
Current - Continuous Drain(Id)2.5A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)13.2pF
RDS(on)9Ω@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)29.3nC@10V
Vgs±30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))5V
TypeN-Channel
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Descripción

Traducción por IA

These Power MOSFETs are designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY™ process. The result is a product that matches or improves on the performance of comparable standard parts from other manufacturers.

Características

Traducción por IA
  • 100% avalanche tested
  • Intrinsic capacitances and Qg minimized
  • High speed switching
  • Fully isolated TO-3PF plastic package, creepage distance path is 5.4 mm (typ.)

Aplicaciones

Traducción por IA
  • Switching applications