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VISHAY SI8808DB-T2-E1

Produttore
Cod. Prod.
SI8808DB-T2-E1
Cod. LCSC
C145290
Imballo
BGA-4
Numero Cliente
Attr. chiave
900mW 30V 2.5A 165mΩ@1.5V 1 N-channel N-Channel BGA-4 Single FETs, MOSFETs RoHS
Scheda TecnicaVISHAY SI8808DB-T2-E1
Conformità RoHS1 documenti disponibili
Parti alternative1
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 1.0333$ 1.03
10+$ 1.0187$ 10.19
30+$ 1.0089$ 30.27
100+$ 0.9992$ 99.92
Package Standard3000/Full Reel
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreVISHAY
ImballoBGA-4
Output Capacitance(Coss)40pF
Ciss-Input Capacitance330pF
Pd - Power Dissipation900mW
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage30V
Current - Continuous Drain(Id)2.5A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)16pF
RDS(on)165mΩ@1.5V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)10nC@8V
Vgs±8V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))900mV
TypeN-Channel

Caratteristiche

Traduzione AI
  • TrenchFET power MOSFET
  • Compact footprint, only 0.8 mm x 0.8 mm
  • Maximum thickness as low as 0.4 mm
  • Up to 30 V voltage rating with low on-resistance

Applicazioni

Traduzione AI
  • Load Switch
  • High-Speed Switch
  • DC/DC Converter
  • For smartphones, tablets, and mobile computing devices

Parti alternative

MPNProduttoreTipo alternativoImballaggioDisponibilitàPrezzo unitario
SI8816EDB-T2-E1VISHAYSimiliBGA-46,020$ 0.2302