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VISHAY SI4946CDY-T1-GE3
| Produttore | |
| Cod. Prod. | SI4946CDY-T1-GE3 |
| Cod. LCSC | C727571 |
| Imballo | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 60V 6.1A 40.9mΩ@10V 2W 3V 2 N-Channel SO-8 FET, MOSFET Arrays RoHS |
| Scheda Tecnica | VISHAY SI4946CDY-T1-GE3 |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 148pF | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.1A | |
| RDS(on) | 40.9mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 9pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 350pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.4nC@10V | |
| Vgs | ±20V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 148pF | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.1A | |
| RDS(on) | 40.9mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 2W |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 9pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 350pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.4nC@10V | |
| Vgs | ±20V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- TrenchFET power MOSFET
- 100% gate resistance (Rg) tested
- RoHS compliant
- Halogen-free
Applicazioni
Traduzione AI
- DC-DC Converter
- Load Switch
- Inverter
- Circuit Protection
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.1487 | $ 1.15 |
| 10+ | $ 0.957 | $ 9.57 |
| 30+ | $ 0.8611 | $ 25.83 |
| 100+ | $ 0.7652 | $ 76.52 |
| 500+ | $ 0.7084 | $ 354.20 |
| 1,000+ | $ 0.6791 | $ 679.10 |
Package Standard2500/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 148pF | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.1A | |
| RDS(on) | 40.9mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 9pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 350pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.4nC@10V | |
| Vgs | ±20V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 148pF | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.1A | |
| RDS(on) | 40.9mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 2W |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 9pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 350pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.4nC@10V | |
| Vgs | ±20V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- TrenchFET power MOSFET
- 100% gate resistance (Rg) tested
- RoHS compliant
- Halogen-free
Applicazioni
Traduzione AI
- DC-DC Converter
- Load Switch
- Inverter
- Circuit Protection
C727571 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| VBA3638 | VBsemi Elec | SO-8 | 108 | $0.7272 $0.7654 | ||
| HSI4946CDYT1GE3 | HXY MOSFET | SOP-8 | 33 | $0.4687 $0.4933 | ||
| CEM6428-JSM | JSMSEMI | SOP-8 | 3,865 | $0.3391 $0.3569 | ||
| STS4DNF60L | TECH PUBLIC | SOP-8 | 5,325 | $ 0.4686 | ||
| AO4828 | TECH PUBLIC | SOP-8 | 1,610 | $ 0.3102 | ||
| AO4826 | TECH PUBLIC | SOIC-8 | 1,595 | $ 0.2079 | ||
| TPM60V7NBS8-1 | TECH PUBLIC | SOP-8 | 436 | $ 0.3727 | ||
| P6006HV-JSM | JSMSEMI | SOP-8 | 0 | $ 0.5674 | ||
| STM6962-JSM | JSMSEMI | SOP-8 | 0 | $ 0.5674 | ||
| CSD88537NDT | TI | SOIC-8 | 0 | $ 0.8879 |