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Central CXDM6053N TR PBFREE
| Produttore | |
| Cod. Prod. | CXDM6053N TR PBFREE |
| Cod. LCSC | C6520746 |
| Imballo | SOT-89 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 60V 5.3A 1.2W 1 N-channel SOT-89 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | Central CXDM6053N TR PBFREE |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Central | |
| Imballo | SOT-89 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.3A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.2W | |
| RDS(on) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Central | |
| Imballo | SOT-89 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.3A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.2W | |
| RDS(on) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | - |
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Descrizione
Traduzione AI
A high-current N-channel enhancement-mode silicon MOSFET designed for high-speed pulse amplifier and driver applications. This MOSFET features high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low rDS(ON) (max 52mΩ at VGS = 4.5V)
- High current (ID = 5.3A)
- Logic level compatible
Applicazioni
Traduzione AI
- Load/Power Switch
- Power Converter Circuit
- Battery-Powered Portable Devices
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.4401 | $ 0.44 |
| 200+ | $ 0.1757 | $ 35.14 |
| 500+ | $ 0.1698 | $ 84.90 |
| 1,000+ | $ 0.1669 | $ 166.90 |
Package Standard1000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Central | |
| Imballo | SOT-89 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.3A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.2W | |
| RDS(on) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Central | |
| Imballo | SOT-89 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.3A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.2W | |
| RDS(on) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | - |
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Descrizione
Traduzione AI
A high-current N-channel enhancement-mode silicon MOSFET designed for high-speed pulse amplifier and driver applications. This MOSFET features high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low rDS(ON) (max 52mΩ at VGS = 4.5V)
- High current (ID = 5.3A)
- Logic level compatible
Applicazioni
Traduzione AI
- Load/Power Switch
- Power Converter Circuit
- Battery-Powered Portable Devices
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PJM10H06NSQ | PJSEMI | Simili | SOT-89 | 145 | $ 0.0946 | ||
| PJM10N60SQ | PJSEMI | Simili | SOT-89 | 720 | $ 0.1262 | ||
| 2SK2463-VB | VBsemi Elec | Simili | SOT-89 | 40 | $0.2210 $0.2599 | ||
| 2SK2111-VB | VBsemi Elec | Simili | SOT-89 | 35 | $0.2123 $0.2497 | ||
| CEA6200-VB | VBsemi Elec | Simili | SOT-89 | 20 | $0.2250 $0.2647 |
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