LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Anmelden
USD
5% OFF
VISHAY SI2309CDS-T1-E3 product image
  • SI2309CDS-T1-E3 thumbnail 1
  • SI2309CDS-T1-E3 thumbnail 2
  • SI2309CDS-T1-E3 thumbnail 3
  • Pinbelegung
  • Footprint
Abbildung ähnlich

VISHAY SI2309CDS-T1-E3

Hersteller
Herst.-Teilenr.
SI2309CDS-T1-E3
LCSC-Nr.
C553975
Verp.
SOT-23
Kundennummer
Hauptmerkm.
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT-23
DatenblattVISHAY SI2309CDS-T1-E3
RoHS-Konformität2 Dokumente verfügbar
Alternativteile5
Garantie auf jede Bestellung
100% Authentisch · 30-Tage-Rückgabe oder -Umtausch
Vorrätig: 7,385
7,385 Ab Lager, sofort versandfertig
Minimum: 5Vielfaches: 5Verkaufseinheit: Piece
Zur BOM-Liste hinzufügen
Stk.E-PreisGesamtbetrag
5+$ 0.3066$ 0.2913$ 1.46
50+$ 0.2407$ 0.2287$ 11.44
150+$ 0.2124$ 0.2018$ 30.27
500+$ 0.1771$ 0.1683$ 84.15
3,000+$ 0.1614$ 0.1534$ 460.20
6,000+$ 0.1519$ 0.1444$ 866.40
Standardgehäuse3000/Full Reel
Besserer Preis bei größerer Menge?
$

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerVISHAY
Verp.SOT-23
Output Capacitance(Coss)28pF
Pd - Power Dissipation1.7W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage60V
Current - Continuous Drain(Id)1.6A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)20pF
RDS(on)345mΩ@10V
Number1 P-Channel
Input Capacitance(Ciss)210pF
Gate Charge(Qg)2.7nC@4.5V
Vgs±20V
TypeP-Channel

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Halogen-free Option Available TrenchFET Power MOSFET

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Load Switch
  • P-Channel MOSFET

Alternativteile

MPNHerstellerAlternativtypVerpackungVerfügbarkeitStückpreis
SI2309CDS-T1-BE3VISHAYDirektSOT-23(TO-236)21$ 0.9717
SI2309CDSTECH PUBLICÄhnlicheSOT-23-312,660$ 0.1008
SI2309CDS-T1-GE3VISHAYÄhnlicheSOT-23-349,525$0.1740 $0.1812
SL1003PSlkorÄhnlicheSOT-23-3L10$ 0.0615
VH360PGDOINGTERÄhnlicheSOT-23-32,630$ 0.0694
5 weitere Alternativteile.Alle Ersatzprodukte anzeigen