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Nexperia PMDXB550UNEZ product image
Abbildung ähnlich

Nexperia PMDXB550UNEZ

Hersteller
Nexperia
Herst.-Teilenr.
PMDXB550UNEZ
LCSC-Nr.
C552763
Verp.
DFN1010-6
Kundennummer
Hauptmerkm.
MOSFET N-CH ARR 30V 590mA DFN1010-6
DatenblattNexperia PMDXB550UNEZ
RoHS-Konformität2 Dokumente verfügbar
Garantie auf jede Bestellung
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10+$ 0.5634$ 5.63
30+$ 0.5552$ 16.66
100+$ 0.547$ 54.70
Standardgehäuse5000/Full Reel
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays
HerstellerNexperia
Verp.DFN1010-6
Drain to Source Voltage30V
Current - Continuous Drain(Id)590mA
RDS(on)670mΩ@4.5V
Pd - Power Dissipation285mW
Ciss-Input Capacitance30.3pF
Number2 N-Channel
Gate Charge(Qg)1.05nC@4.5V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))950mV
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Beschreibung

KI-Übersetzung

Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Low threshold voltage
  • Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm
  • Trench MOSFET technology
  • ElectroStatic Discharge (ESD) protection >2 kV HBM
  • Exposed drain pad for excellent thermal conduction

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • Low-side load switch
  • Switching circuits