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Imágenes ilustrativas

VBsemi Elec FDP15N50-VB

Fabricante
VBsemi ElecAsian Brands
N.º de pieza fab.
FDP15N50-VB
Nº LCSC
C54177022
Emb.
TO-220AB
Número de Cliente
Atrib. clave
650V 18A 208W 340mΩ@10V 1 N-channel N-Channel TO-220AB Single FETs, MOSFETs
Hoja de DatosVBsemi Elec FDP15N50-VB
Piezas alternativas5
Garantía en cada pedido
100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteVBsemi Elec
Emb.TO-220AB
Drain to Source Voltage650V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)456pF
Current - Continuous Drain(Id)18A
Ciss-Input Capacitance4.826nF
Pd - Power Dissipation208W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)210pF
RDS(on)340mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)71nC
Vgs±30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
TypeN-Channel
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Características

Traducción por IA
  • Reduced trr, Qrr, and IRRM
  • Low figure of merit (FOM) R(on)×Qg
  • Low input capacitance (Ciss)
  • Low switching losses due to reduced Qrr
  • Ultra-low gate charge (Qg)
  • Avalanche energy rated (UIS)