LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
Koszyk
R+O HW03N390S product image
  • HW03N390S thumbnail 1
  • HW03N390S thumbnail 2
  • HW03N390S thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

R+O HW03N390S

Producent
R+OAsian Brands
Nr części prod.
HW03N390S
Nr LCSC
C53664481
Opak.
DFN-6(2x2)
Numer Klienta
Klucz. cechy
30V 5.5A 2W 39mΩ@10V 1 N-channel N-Channel DFN-6(2x2) Single FETs, MOSFETs
Karta KatalogowaR+O HW03N390S
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni
Brak w magazynie
Powiadom mnie
Minimum: 10Wielokrotność: 10Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
Szt.Cena jedn.(Tylko do wglądu)Suma całkowita
10+$ 0.0683$ 0.68
100+$ 0.0544$ 5.44
300+$ 0.0474$ 14.22
3,000+$ 0.0422$ 126.60
6,000+$ 0.0381$ 228.60
9,000+$ 0.036$ 324.00
Standardowa Obudowa3000/Full Reel
Lepsza cena za większą ilość?
$

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProducentR+O
Opak.DFN-6(2x2)
Drain to Source Voltage30V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)5.5A
Ciss-Input Capacitance515pF
Pd - Power Dissipation2W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)26pF
RDS(on)39mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)15.3nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.6V
TypeN-Channel
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • V = 30V
  • I = 5.5A
  • RDS(on)@VGS = 10V < 39mΩ
  • R@V = 4.5V < 59mΩ
  • Advanced trench cell design
  • Low thermal resistance
  • Low gate charge

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • Motor/body load control
  • DC-DC converter
  • Load switch