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VBsemi Elec SI7190ADP-T1-RE3-VB

Fabricante
VBsemi ElecAsian Brands
Cód. da peça
SI7190ADP-T1-RE3-VB
Nº LCSC
C53154608
Emb.
PDFN-8L(5x6)
Número do Cliente
Atrib. princ.
250V 35A 136W 42mΩ@VGS=10V,ID=20A 1 N-channel N-Channel PDFN-8L(5x6) Single FETs, MOSFETs
Folha de DadosVBsemi Elec SI7190ADP-T1-RE3-VB
Peças alternativas5
Garantia em cada pedido
100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias

Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteVBsemi Elec
Emb.PDFN-8L(5x6)
Drain to Source Voltage250V
Operating Temperature-55℃~+175℃
Current - Continuous Drain(Id)35A
Output Capacitance(Coss)470pF
Ciss-Input Capacitance2.5nF
Pd - Power Dissipation136W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)225pF
RDS(on)42mΩ@VGS=10V,ID=20A
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)48nC
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
TypeN-Channel
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Recursos

Tradução por IA
  • 175°C junction temperature
  • SGT technology power MOSFET
  • Material classification: RoHS compliant
  • N-channel MOSFET
  • Note: Package limited
  • Note: Surface mounted on 1" × 1" FR4 board
  • Note: t ≤ 10 s
  • Note: For design aid only; not production tested
  • Note: Pulse test; pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2%
  • Note: Independent of operating temperature