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Abbildung ähnlich

VBsemi Elec PSMN3R8-100BS,118-VB

Hersteller
VBsemi ElecAsian Brands
Herst.-Teilenr.
PSMN3R8-100BS,118-VB
LCSC-Nr.
C52190971
Verp.
TO-263
Kundennummer
Hauptmerkm.
100V 140A 375W 4mΩ@10V 1 N-channel N-Channel TO-263 Single FETs, MOSFETs
DatenblattVBsemi Elec PSMN3R8-100BS,118-VB
Alternativteile5
Garantie auf jede Bestellung
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Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-PreisGesamtbetrag
1+$ 2.1911$ 2.19
10+$ 1.9371$ 19.37
50+$ 1.7765$ 88.83
100+$ 1.6143$ 161.43
500+$ 1.5405$ 770.25
1,000+$ 1.5094$ 1509.40
Standardgehäuse50/Full Tube
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerVBsemi Elec
Verp.TO-263
Operating Temperature-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage100V
Current - Continuous Drain(Id)140A
Output Capacitance(Coss)750pF
Ciss-Input Capacitance5.5nF
Pd - Power Dissipation375W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)280pF
RDS(on)4mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)110nC
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
TypeN-Channel

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Trench power MOSFET
  • Low thermal resistance, new package
  • 100% gate resistance (Rg) tested
  • RoHS compliant
  • D2PAK (TO-263)
  • N-channel MOSFET

Alternativteile

MPNHerstellerAlternativtypVerpackungVerfügbarkeitStückpreis
AOB2918L-VBVBsemi ElecÄhnlicheTO-263(D2PAK)1$2.0846 $2.1943
BUK765R0-100E-VBVBsemi ElecÄhnlicheTO-263(D2PAK)10$1.3617 $1.602
BUK969R3-100E-VBVBsemi ElecÄhnlicheTO-263(D2PAK)10$1.3617 $1.602
RSJ650N10TL-VBVBsemi ElecÄhnlicheTO-263(D2PAK)10$1.3617 $1.602
PSMN5R6-100BS,118-VBVBsemi ElecÄhnlicheTO-2635$1.7855 $1.8794