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DIODES DDTC114ELP-7

Fabricant
DIODES
Réf. Fab.
DDTC114ELP-7
Réf. LCSC
C460036
Condit.
DFN1006-3
Numéro Client
Caract. clés
TRANS PREBIAS 50V DFN1006-3
Fiche TechniqueDIODES DDTC114ELP-7
Conformité RoHS2 documents disponibles
Pièces alternatives5
Garantie sur chaque commande
100% Authentique · Retour ou échange sous 30 Jours

Spécifications du Produit

Tout
TypeDescription
CatégorieDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
FabricantDIODES
Condit.DFN1006-3
Current - Collector Cutoff0.1uA
Transition frequency(fT)250MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO50V
Emitter-Base Voltage VEBO-
DC Current Gain60
Vce Saturation(VCE(sat))300mV
Current - Collector(Ic)100mA
Output Voltage(VO(on))250mV
Input Resistor13kΩ
Resistor Ratio1
Pd - Power Dissipation250mW
Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce)2.5V
Voltage - Input(Max)(VI(off))1.16V
Operating temperature-55℃~+150℃
type-
Number1 NPN (Pre-Biased)
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Caractéristiques

Traduction par IA
  • Epitaxial Planar Die Construction
  • Ultra-Small Leadless Surface Mount Package
  • Ideally Suited for Automated Assembly Processes
  • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
  • Halogen and Antimony Free. "Green" Device
  • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability