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ST STH315N10F7-6

제조업체
제조사 품번
STH315N10F7-6
LCSC 번호
C457491
포장
H2PAK-6
고객 번호
주요 제원
315W 100V 180A 2.3mΩ@10V 1 N-channel N-Channel H2PAK-6 Single FETs, MOSFETs RoHS
데이터시트ST STH315N10F7-6
RoHS 준수2개 문서 이용 가능
대체 부품1
모든 주문 보장
100% 정품 · 30일 반품 또는 교환
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수량단가(참고용)총액
1+$ 3.4007$ 3.40
10+$ 3.33$ 33.30
30+$ 3.2839$ 98.52
100+$ 3.2378$ 323.78
표준 패키지1000/Full Reel
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제품 사양

전체
타입설명
카테고리Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
제조업체ST
포장H2PAK-6
Output Capacitance(Coss)3.5nF
Ciss-Input Capacitance12.8nF
Pd - Power Dissipation315W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage100V
Current - Continuous Drain(Id)180A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)170pF
RDS(on)2.3mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)180nC@50V
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4.5V
TypeN-Channel
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >

개요

AI 번역

These N-channel power MOSFETs feature STripFET™ F7 technology with an optimized trench gate structure for ultra-low on-resistance while reducing internal capacitance and gate charge, enabling faster and more efficient switching operations.

주요 특징

AI 번역
  • Designed for automotive applications, AEC-Q101 qualified
  • Among the lowest RDS(on) available on the market
  • Excellent figure of merit (FoM)
  • Low Crss/Ciss ratio for enhanced EMI immunity
  • High avalanche ruggedness

응용 분야

AI 번역
  • Switching applications

대체 부품

MPN제조사대체 유형포장재고 현황단가
STH310N10F7-6ST유사 제품H2PAK-620$ 11.4274