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AGMSEMI AGM3015H-W1

Fabricante
AGMSEMIAsian Brands
Cód. da peça
AGM3015H-W1
Nº LCSC
C42411660
Emb.
TO-263
Número do Cliente
Atrib. princ.
MOSFET 30V 240A TO-263
Folha de DadosAGMSEMI AGM3015H-W1
Conformidade RoHS1 documentos disponíveis
Garantia em cada pedido
100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias

Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteAGMSEMI
Emb.TO-263
Drain to Source Voltage30V
Operating Temperature-55℃~+175℃
Current - Continuous Drain(Id)240A
Output Capacitance(Coss)825pF
Ciss-Input Capacitance6.201nF
Pd - Power Dissipation268W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)476pF
RDS(on)1.6mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)231nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.2V
Ajuda e FeedbackMostrar produtos similares (0) >

Descrição

Tradução por IA

AGM3015H-W1 combines advanced trench MOSFET technology with a low-resistance package to deliver ultra-low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications.

Recursos

Tradução por IA
  • Advanced high cell density trench technology
  • Low RDS(ON) to minimize conduction losses
  • Low gate charge for fast switching
  • Low thermal resistance
  • 100% avalanche tested
  • 100% DVDS tested

Aplicações

Tradução por IA
  • MB/VGA Vcore
  • Secondary-side synchronous rectifier for switching power supplies
  • Point-of-load applications
  • Brushless DC motor driver