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EDA 모델EasyEDA
DOINGTER DON70N04
| 제조업체 | DOINGTERAsian Brands |
| 제조사 품번 | DON70N04 |
| LCSC 번호 | C41384264 |
| 포장 | DFN5x6-8 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | MOSFET N-CH 40V 70A DFN5x6-8 |
| 데이터시트 | DOINGTER DON70N04 |
| RoHS 준수 | 2개 문서 이용 가능 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | DOINGTER | |
| 포장 | DFN5x6-8 | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 250pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 72.3W | |
| RDS(on) | 8.5mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 170pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | DOINGTER | |
| 포장 | DFN5x6-8 | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 250pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 72.3W | |
| RDS(on) | 8.5mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 170pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@10V | |
| Type | N-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
개요
AI 번역
This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
주요 특징
AI 번역
- VDS = 40V, IO = 70A, RDS(ON) < 8.5mΩ @ VGS = 10V
- Low gate charge
- Green device available
- Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON)
- Excellent package for good heat dissipation
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | DOINGTER | |
| 포장 | DFN5x6-8 | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 250pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 72.3W | |
| RDS(on) | 8.5mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 170pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | DOINGTER | |
| 포장 | DFN5x6-8 | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 250pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 72.3W | |
| RDS(on) | 8.5mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 170pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@10V | |
| Type | N-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
개요
AI 번역
This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
주요 특징
AI 번역
- VDS = 40V, IO = 70A, RDS(ON) < 8.5mΩ @ VGS = 10V
- Low gate charge
- Green device available
- Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON)
- Excellent package for good heat dissipation
C41384264 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |