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MICROCHIP JANTX1N986DUR-1/TR product image
Abbildung ähnlich

MICROCHIP JANTX1N986DUR-1/TR

Hersteller
MICROCHIP
Herst.-Teilenr.
JANTX1N986DUR-1/TR
LCSC-Nr.
C3740238
Verp.
DO-35(DO-204AH)
Kundennummer
Hauptmerkm.
1 Independent 110V DO-35(DO-204AH) Single Zener Diodes RoHS
DatenblattMICROCHIP JANTX1N986DUR-1/TR
RoHS-Konformität2 Dokumente verfügbar
Garantie auf jede Bestellung
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1+$ 20.8256$ 20.83
200+$ 8.0597$ 1611.94
500+$ 7.7759$ 3887.95
1,000+$ 7.6371$ 7637.10
Standardgehäuse500/Full Box
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes
HerstellerMICROCHIP
Verp.DO-35(DO-204AH)
Diode Configuration1 Independent
Tolerance±1%
Operating Junction Temperature Range-65℃~+175℃
Pd - Power Dissipation500mW
Reverse Leakage Current (Ir)500nA@84V
Impedance(Zzt)750Ω
Zener Voltage(Range)-
Zener Voltage(Nom)110V
Impedance(Zzk)4kΩ
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Merkmale

KI-Übersetzung
  • JAN, JANTX, and JANTXV versions of 1N962BUR-1 through 1N986BUR-1 available in January
  • Leadless surface mount package
  • Metallurgical bond construction
  • Operating temperature range: -65°C to +175°C
  • Storage temperature range: -65°C to +175°C
  • DC power dissipation: 500mW at TEC = +125°C
  • Power derating: 10mW/°C for TEC > +125°C
  • Forward voltage maximum 1.1V at 200mA
  • DO-213AA package, hermetic glass case (MELF, SOD-80, LL34)
  • Tin/lead lead finish
  • Thermal resistance (ROJEC): 100°C/W max at L = 0 inches
  • Thermal impedance (ZJX): 35°C/W max
  • Polarity: marked (cathode) end positive during diode operation
  • Device axial COE approximately +6PPM/°C; mounting surface system COE should match