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onsemi MPSW56RLRPG
| Produttore | |
| Cod. Prod. | MPSW56RLRPG |
| Cod. LCSC | C3201654 |
| Imballo | TO-92(TO-226) |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 80V 50 500mA 1 PNP PNP TO-92(TO-226) Single Bipolar Transistors RoHS |
| Scheda Tecnica | onsemi MPSW56RLRPG |
| Conformità RoHS | 3 documenti disponibili |
| Parti alternative | 4 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | TO-92(TO-226) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 500nA | |
| Transition frequency(fT) | 50MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 4V | |
| DC Current Gain | 50 | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Configuration | - | |
| Number | 1 PNP | |
| type | PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | TO-92(TO-226) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 500nA | |
| Transition frequency(fT) | 50MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 4V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| DC Current Gain | 50 | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Configuration | - | |
| Number | 1 PNP | |
| type | PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV |
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| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 2.6432 | $ 2.64 |
| 200+ | $ 1.023 | $ 204.60 |
| 500+ | $ 0.9876 | $ 493.80 |
| 1,000+ | $ 0.969 | $ 969.00 |
Package Standard2000/Full Reel | ||
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | TO-92(TO-226) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 500nA | |
| Transition frequency(fT) | 50MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 4V | |
| DC Current Gain | 50 | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Configuration | - | |
| Number | 1 PNP | |
| type | PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | TO-92(TO-226) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 500nA | |
| Transition frequency(fT) | 50MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 4V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| DC Current Gain | 50 | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Configuration | - | |
| Number | 1 PNP | |
| type | PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV |
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Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |