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DIODES DMT12H060LCA9-7 product image
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DIODES DMT12H060LCA9-7

Produttore
DIODES
Cod. Prod.
DMT12H060LCA9-7
Cod. LCSC
C19949983
Imballo
X2-DSN1515-9
Numero Cliente
Attr. chiave
115V 3.5A 1.9W 130mΩ@1.5V N-Channel X2-DSN1515-9 Single FETs, MOSFETs RoHS
Scheda TecnicaDIODES DMT12H060LCA9-7
Conformità RoHS4 documenti disponibili
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100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
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QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 0.9341$ 0.93
200+$ 0.3737$ 74.74
500+$ 0.36$ 180.00
1,000+$ 0.3539$ 353.90
Package Standard3000/Full Bag
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$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreDIODES
ImballoX2-DSN1515-9
Drain to Source Voltage115V
Current - Continuous Drain(Id)3.5A
Pd - Power Dissipation1.9W
RDS(on)130mΩ@1.5V
Gate Charge(Qg)8nC@5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.4V
TypeN-Channel
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Descrizione

Traduzione AI

This next-generation MOSFET is designed to minimize on-resistance R<sub>DS(ON)</sub>, making it ideal for high-efficiency power management applications.

Caratteristiche

Traduzione AI
  • Low Qg and Qgd
  • Compact 1.5 mm × 1.5 mm package
  • ESD protection
  • Fully lead-free and RoHS compliant
  • Halogen-free and antimony-free, "Green" device

Applicazioni

Traduzione AI
  • Battery Management - Load Switch - Battery Protection