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Imágenes ilustrativas

JSMSEMI RFD16N06LESM9A-JSM

Fabricante
JSMSEMIAsian Brands
N.º de pieza fab.
RFD16N06LESM9A-JSM
Nº LCSC
C18193564
Emb.
TO-252
Número de Cliente
Atrib. clave
60V 30A 40W 40mΩ@4.5V 1 N-channel N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs RoHS
Hoja de DatosJSMSEMI RFD16N06LESM9A-JSM
Cumplimiento RoHS6 documentos disponibles
Piezas alternativas5
Garantía en cada pedido
100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteJSMSEMI
Emb.TO-252
Drain to Source Voltage60V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)90pF
Current - Continuous Drain(Id)30A
Ciss-Input Capacitance1.7nF
Pd - Power Dissipation40W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)65pF
RDS(on)40mΩ@4.5V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)20nC@30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
TypeN-Channel
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Descripción

Traducción por IA

This N-channel MOSFET utilizes advanced trench technology and design to deliver excellent on-resistance (RDS(on)) with low gate charge. It is suitable for a wide range of applications.

Características

Traducción por IA
  • VDS = 60V, ID = 30A, RDS(ON) < 30mΩ at VGS = 10V
  • Low gate charge.
  • RoHS-compliant devices available.
  • Advanced high-cell-density trench technology for ultra-low RDS(ON).
  • Excellent package with superior thermal performance.

Aplicaciones

Traducción por IA
  • Power Management - Portable Devices - DC/DC Converters - Load Switches - Digital Cameras - LCD Display Inverters