JSMSEMI SUP60N06-18-E3-JSM
| Fabricante | JSMSEMIAsian Brands |
| Cód. da peça | SUP60N06-18-E3-JSM |
| Nº LCSC | C18188747 |
| Emb. | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | 60V 110A 358W 6mΩ@10V 1 N-channel TO-220 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Folha de Dados | JSMSEMI SUP60N06-18-E3-JSM |
| Conformidade RoHS | 6 documentos disponíveis |
| Peças alternativas | 5 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | JSMSEMI | |
| Emb. | TO-220 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.016nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.699nF | |
| Pd - Power Dissipation | 358W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 487pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 115nC@15V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | JSMSEMI | |
| Emb. | TO-220 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.016nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 2.699nF | |
| Pd - Power Dissipation | 358W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 487pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 115nC@15V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
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Recursos
Tradução por IA
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
Aplicações
Tradução por IA
- Switching Mode Power Supply (SMPS)
- Uninterruptible Power Supply (UPS)
- Power Factor Correction (PFC)
Garantia em cada pedido
100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | JSMSEMI | |
| Emb. | TO-220 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.016nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.699nF | |
| Pd - Power Dissipation | 358W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 487pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 115nC@15V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | JSMSEMI | |
| Emb. | TO-220 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.016nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 2.699nF | |
| Pd - Power Dissipation | 358W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 487pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 115nC@15V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
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Recursos
Tradução por IA
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
Aplicações
Tradução por IA
- Switching Mode Power Supply (SMPS)
- Uninterruptible Power Supply (UPS)
- Power Factor Correction (PFC)
C18188747 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |

