onsemi MMBFJ201

Fabricante	onsemi
Cód. da peça	MMBFJ201
Nº LCSC	C891687
Emb.	SOT-23-3L
Número do Cliente
Atrib. princ.	N-Channel General-Purpose Amplifier
Folha de Dados	onsemi MMBFJ201
Conformidade RoHS	4 documentos disponíveis
Peças alternativas	2

Especificações do Produto

Tudo

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/JFETs
Fabricante	onsemi
Emb.	SOT-23-3L
FET Type	N-Channel
Ciss-Input Capacitance	-
Pd - Power Dissipation	350mW
Drain Current (Idss)	1mA
Number	1 N-channel
Reverse Transfer Capacitance (Crss)	-
Configuration	Standalone
operating temperature	-55℃~+150℃
RDS(on)	-
Gate-Source Breakdown Voltage (Vgss)	40V
Output Capacitance(Coss)	-
Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off))	300mV

Tipo	Descrição
Reverse Transfer Capacitance (Crss)	-
Configuration	Standalone
operating temperature	-55℃~+150℃
RDS(on)	-
Gate-Source Breakdown Voltage (Vgss)	40V
Output Capacitance(Coss)	-
Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off))	300mV

Tradução por IA

This device is designed primarily for low level audio and general-purpose applications with high impedance signal sources. Sourced from process 52.

Garantia em cada pedido

100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias

Tudo

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/JFETs
Fabricante	onsemi
Emb.	SOT-23-3L
FET Type	N-Channel
Ciss-Input Capacitance	-
Pd - Power Dissipation	350mW
Drain Current (Idss)	1mA
Number	1 N-channel
Reverse Transfer Capacitance (Crss)	-
Configuration	Standalone
operating temperature	-55℃~+150℃
RDS(on)	-
Gate-Source Breakdown Voltage (Vgss)	40V
Output Capacitance(Coss)	-
Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off))	300mV

Tipo	Descrição
Reverse Transfer Capacitance (Crss)	-
Configuration	Standalone
operating temperature	-55℃~+150℃
RDS(on)	-
Gate-Source Breakdown Voltage (Vgss)	40V
Output Capacitance(Coss)	-
Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off))	300mV

Tradução por IA

This device is designed primarily for low level audio and general-purpose applications with high impedance signal sources. Sourced from process 52.