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EDA 모델EasyEDA
DIODES DMN4468LSS-13
| 제조업체 | |
| 제조사 품번 | DMN4468LSS-13 |
| LCSC 번호 | C780835 |
| 포장 | SO-8 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | MOSFET N-CH 30V 10A SO-8 |
| 데이터시트 | DIODES DMN4468LSS-13 |
| RoHS 준수 | 5개 문서 이용 가능 |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | DIODES | |
| 포장 | SO-8 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 867pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.52W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 81pF | |
| RDS(on) | 14mΩ@10V;20mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 18.85nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.95V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | DIODES | |
| 포장 | SO-8 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 867pF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.52W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 81pF | |
| RDS(on) | 14mΩ@10V;20mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 18.85nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.95V |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
개요
AI 번역
This MOSFET is designed to minimize on-resistance (RDS(on)) while maintaining superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
주요 특징
AI 번역
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Fully lead-free and fully RoHS compliant
- Halogen- and antimony-free, "Green" device
- AEC-Q101 qualified, high reliability
응용 분야
AI 번역
- Backlighting
- Power management function
- DC-DC converter
모든 주문 보장
100% 정품 · 30일 반품 또는 교환
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | DIODES | |
| 포장 | SO-8 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 867pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.52W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 81pF | |
| RDS(on) | 14mΩ@10V;20mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 18.85nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.95V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | DIODES | |
| 포장 | SO-8 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 867pF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.52W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 81pF | |
| RDS(on) | 14mΩ@10V;20mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 18.85nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.95V |
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개요
AI 번역
This MOSFET is designed to minimize on-resistance (RDS(on)) while maintaining superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
주요 특징
AI 번역
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Fully lead-free and fully RoHS compliant
- Halogen- and antimony-free, "Green" device
- AEC-Q101 qualified, high reliability
응용 분야
AI 번역
- Backlighting
- Power management function
- DC-DC converter
C780835 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |