- Rozmieszczenie wyprowadzeń
- Footprint
Zdjęcia poglądowe
Modele EDAEasyEDA
TOSHIBA SSM3J377R,LXHF
| Producent | |
| Nr części prod. | SSM3J377R,LXHF |
| Nr LCSC | C7369985 |
| Opak. | SOT-23F |
| Numer Klienta | |
| Klucz. cechy | 20V 3.9A 1W 93mΩ@4.5V 1 P-Channel SOT-23F Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Karta Katalogowa | TOSHIBA SSM3J377R,LXHF |
| Części alternatywne | 5 |
Specyfikacje Produktu
Wszystko
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | TOSHIBA | |
| Opak. | SOT-23F | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 290pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| RDS(on) | 93mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | TOSHIBA | |
| Opak. | SOT-23F | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 290pF |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| RDS(on) | 93mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V |
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >
Opis
Tłumaczenie AI
This device is an N-channel power MOSFET developed using sixth-generation STripFET™ DeepGATE™ technology, featuring a new gate structure. The resulting power MOSFET delivers the lowest on-state resistance (RDS(on)) across all package types.
Funkcje
Tłumaczenie AI
- AEC-Q101 qualified
- 1.5-V gate drive voltage
- Low drain-to-source on-resistance: RDS(ON) = 240 mΩ (max) (VGS = -1.5 V); RDS(ON) = 168 mΩ (max) (VGS = -1.8 V); RDS(ON) = 123 mΩ (max) (VGS = -2.5 V); RDS(ON) = 93 mΩ (max) (VGS = -4.5 V)
Zastosowania
Tłumaczenie AI
- Power management switch
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni
Na stanie: 140
140 W magazynie, wysyłka natychmiastowa
Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
| Szt. | Cena jedn. | Suma całkowita |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.5179 | $ 0.52 |
| 10+ | $ 0.5097 | $ 5.10 |
| 30+ | $ 0.5048 | $ 15.14 |
| 100+ | $ 0.4982 | $ 49.82 |
Standardowa Obudowa3000/Full Reel | ||
Lepsza cena za większą ilość?
$
Specyfikacje Produktu
Wszystko
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | TOSHIBA | |
| Opak. | SOT-23F | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 290pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| RDS(on) | 93mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | TOSHIBA | |
| Opak. | SOT-23F | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 290pF |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| RDS(on) | 93mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V |
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >
Opis
Tłumaczenie AI
This device is an N-channel power MOSFET developed using sixth-generation STripFET™ DeepGATE™ technology, featuring a new gate structure. The resulting power MOSFET delivers the lowest on-state resistance (RDS(on)) across all package types.
Funkcje
Tłumaczenie AI
- AEC-Q101 qualified
- 1.5-V gate drive voltage
- Low drain-to-source on-resistance: RDS(ON) = 240 mΩ (max) (VGS = -1.5 V); RDS(ON) = 168 mΩ (max) (VGS = -1.8 V); RDS(ON) = 123 mΩ (max) (VGS = -2.5 V); RDS(ON) = 93 mΩ (max) (VGS = -4.5 V)
Zastosowania
Tłumaczenie AI
- Power management switch
C7369985 Biblioteka EasyEDA
Zgodność & Kody Eksportowe
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Części alternatywne
| MPN | Producent | Typ alternatywny | Opakowanie | Dostępność | Cena jednostkowa | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SSM3J327R,LF | TOSHIBA | Podobne | SOT-23F | 1,790 | $ 0.1002 | ||
| SSM3J328R,LF | TOSHIBA | Podobne | SOT-23F | 220 | $ 0.0634 | ||
| LP3415ELT1G | LRC | Podobne | SOT-23 | 3,170 | $ 0.0668 | ||
| WST6225 | Winsok Semicon | Podobne | SOT-23-3L | 3,660 | $0.0486 $0.0539 | ||
| WST3325 | Winsok Semicon | Podobne | SOT-23-3L | 1,850 | $0.0732 $0.0813 |