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VBsemi Elec HUFA76609D3-VB
| Fabricante | VBsemi ElecAsian Brands |
| Cód. da peça | HUFA76609D3-VB |
| Nº LCSC | C725059 |
| Emb. | TO-251 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET N-CH 100V 15A TO-251 |
| Folha de Dados | VBsemi Elec HUFA76609D3-VB |
| Peças alternativas | 5 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | TO-251 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 110pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Ciss-Input Capacitance | 892pF | |
| Pd - Power Dissipation | 61W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 70pF | |
| RDS(on) | 110mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | TO-251 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 110pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Ciss-Input Capacitance | 892pF |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 61W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 70pF | |
| RDS(on) | 110mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | N-Channel |
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Recursos
Tradução por IA
- DT-Trench Power MOSFET 175°C Junction Temperature
- 100% Rg Tested
Aplicações
Tradução por IA
- Primary Side Switch
- N-Channel MOSFET
Garantia em cada pedido
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | TO-251 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 110pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Ciss-Input Capacitance | 892pF | |
| Pd - Power Dissipation | 61W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 70pF | |
| RDS(on) | 110mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | TO-251 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 110pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Ciss-Input Capacitance | 892pF |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 61W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 70pF | |
| RDS(on) | 110mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | N-Channel |
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Recursos
Tradução por IA
- DT-Trench Power MOSFET 175°C Junction Temperature
- 100% Rg Tested
Aplicações
Tradução por IA
- Primary Side Switch
- N-Channel MOSFET
C725059 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |