VBsemi Elec VBA4317
| Produttore | VBsemi ElecAsian Brands |
| Cod. Prod. | VBA4317 |
| Cod. LCSC | C480936 |
| Imballo | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 30V 8A 2.5W 21mΩ@10V 2 P-Channel SO-8 Single FETs, MOSFETs |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec VBA4317 |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| RDS(on) | 21mΩ@10V | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@4.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| RDS(on) | 21mΩ@10V | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@4.5V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Halogen-free
- Trench power MOSFET
- 100% tested for unclamped inductive switching (UIS)
Applicazioni
Traduzione AI
- Load Switch
- Laptop
- Desktop PC
- Gaming Console
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| RDS(on) | 21mΩ@10V | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@4.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| RDS(on) | 21mΩ@10V | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@4.5V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Halogen-free
- Trench power MOSFET
- 100% tested for unclamped inductive switching (UIS)
Applicazioni
Traduzione AI
- Load Switch
- Laptop
- Desktop PC
- Gaming Console
C480936 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |



