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Imagens ilustrativas

VBsemi Elec VBPB16I60

Fabricante
VBsemi ElecAsian Brands
Cód. da peça
VBPB16I60
Nº LCSC
C42412445
Emb.
TO-3P
Número do Cliente
Atrib. princ.
96W 60A 600V TO-3P Single IGBTs
Folha de DadosVBsemi Elec VBPB16I60
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210+$ 2.7148$ 570.11
510+$ 2.6237$ 1338.09
990+$ 2.579$ 2553.21
Encapsulamento Padrão30/Full Tube
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Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/Single IGBTs
FabricanteVBsemi Elec
Emb.TO-3P
Pd - Power Dissipation96W
Td(off)163ns
Td(on)18ns
Current - Collector(Ic)60A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)600V
Reverse Transfer Capacitance (Cres)53pF
IGBT Type-
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)-
Operating Temperature-55℃~+175℃
Vce Saturation(VCE(sat))-
Collector Cut-Off Current (Ices)-
Reverse Recovery Time(trr)88ns
Switching Energy(Eoff)-
Turn-On Energy (Eon)-
Input Capacitance(Cies)6.5nF
Output Capacitance(Coes)62pF
Gate Charge(Qg)78nC@7V
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Recursos

Tradução por IA
  • Ultra-low collector-emitter saturation voltage
  • Low turn-off loss
  • High-speed switching
  • Maximum junction temperature 175℃
  • Ultra-low gate charge
  • Avalanche energy rated

Aplicações

Tradução por IA
  • Telecom
  • Lighting
  • Consumer & Computing
  • Industrial
  • Renewable Energy