LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
Koszyk
onsemi NTPF250N65S3H product image
  • NTPF250N65S3H thumbnail 1
  • NTPF250N65S3H thumbnail 2
  • NTPF250N65S3H thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

onsemi NTPF250N65S3H

Producent
onsemi
Nr części prod.
NTPF250N65S3H
Nr LCSC
C2902186
Opak.
TO-220F
Numer Klienta
Klucz. cechy
MOSFET N-CH 650V 13A TO-220F
Karta Katalogowaonsemi NTPF250N65S3H
Zgodność z RoHS2 dokumentów dostępnych
Części alternatywne5
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Producentonsemi
Opak.TO-220F
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage650V
Output Capacitance(Coss)19pF
Current - Continuous Drain(Id)13A
Ciss-Input Capacitance1.261nF
Pd - Power Dissipation29W
RDS(on)250mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)24nC@10V
Vgs±30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
TypeN-Channel
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >

Opis

Tłumaczenie AI

SUPERFET III MOSFET is a brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provides superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III FAST MOSFET series helps minimize various power systems and improve system efficiency.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • 700 V (TJ = 150°C)
  • Typ. RDS(on) = 201 mΩ
  • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 24 nC)
  • Low Effective Output Capacitance (Typ. C0ss(eff.) = 229 pF)
  • 100% Avalanche Tested
  • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • Computing / Display Power Supplies
  • Telecom / Server Power Supplies
  • Industrial Power Supplies
  • Lighting / Charger / Adapter