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DIODES BCX5616QTA
| Fabricante | |
| Cód. da peça | BCX5616QTA |
| Nº LCSC | C526478 |
| Emb. | SOT-89 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | TRANS NPN 80V 1A SOT-89 |
| Folha de Dados | DIODES BCX5616QTA |
| Conformidade RoHS | 5 documentos disponíveis |
| Peças alternativas | 10 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Fabricante | DIODES | |
| Emb. | SOT-89 | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | 150MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| Current - Collector(Ic) | 1A | |
| Configuration | Standalone | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Fabricante | DIODES | |
| Emb. | SOT-89 | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | 150MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| DC Current Gain | 100 | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| Current - Collector(Ic) | 1A | |
| Configuration | Standalone | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV |
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Descrição
Tradução por IA
This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.
Recursos
Tradução por IA
- BVCEO > 80 V
- Ic = 1 A High Continuous Collector Current
- ICM = 2.0 A Peak Pulse Current
- Low Saturation Voltage VCE(sat) < 500 mV @ 0.5A
- Epitaxial Planar Die Construction
- Complementary PNP types: BCX5316Q
- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
- Halogen- and Antimony-Free. "Green" Device
- The BCX5616Q is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities.
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Mínimo: 5Múltiplo: 5Unidade de venda: Piece
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| Qtd. | Preço unit.(Apenas para referência) | Valor total |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.1504 | $ 0.75 |
| 50+ | $ 0.125 | $ 6.25 |
| 150+ | $ 0.1123 | $ 16.85 |
| 1,000+ | $ 0.1028 | $ 102.80 |
| 2,000+ | $ 0.0952 | $ 190.40 |
| 5,000+ | $ 0.0914 | $ 457.00 |
Encapsulamento Padrão1000/Full Reel | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Fabricante | DIODES | |
| Emb. | SOT-89 | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | 150MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| Current - Collector(Ic) | 1A | |
| Configuration | Standalone | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Fabricante | DIODES | |
| Emb. | SOT-89 | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | 150MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| DC Current Gain | 100 | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| Current - Collector(Ic) | 1A | |
| Configuration | Standalone | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV |
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Descrição
Tradução por IA
This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.
Recursos
Tradução por IA
- BVCEO > 80 V
- Ic = 1 A High Continuous Collector Current
- ICM = 2.0 A Peak Pulse Current
- Low Saturation Voltage VCE(sat) < 500 mV @ 0.5A
- Epitaxial Planar Die Construction
- Complementary PNP types: BCX5316Q
- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
- Halogen- and Antimony-Free. "Green" Device
- The BCX5616Q is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities.
C526478 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| BCX56-16-AU_R1_000A1 | PANJIT | SOT-89 | 25 | $ 0.1326 | ||
| PBHV8115X,115 | Nexperia | SOT-89 | 1 | $ 0.4428 | ||
| 2SC3647T-TD-E | onsemi | SOT-89-3 | 41 | $ 0.6195 | ||
| BCX56-16 | TECH PUBLIC | SOT-89 | 280 | $ 0.0631 | ||
| FCX493 | PJSEMI | SOT-89 | 260 | $ 0.073 | ||
| BCX56-16TF | Nexperia | SOT-89-3 | 12,150 | $ 0.1253 | ||
| BCX5616QTC | DIODES | SOT-89 | 0 | $ 0.1068 | ||
| ZXTN10150DZTA | DIODES | SOT-89-3L | 0 | $ 0.3933 | ||
| BCX56-16-AU_000A1 | PANJIT | SOT-89 | 0 | $ 0.1179 | ||
| BCX56-16 | KEXIN | SOT-89 | 0 | $ 0.0744 |