LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
onsemi NJVMJD210T4G product image
  • NJVMJD210T4G thumbnail 1
  • NJVMJD210T4G thumbnail 2
  • NJVMJD210T4G thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

onsemi NJVMJD210T4G

Producent
onsemi
Nr części prod.
NJVMJD210T4G
Nr LCSC
C904723
Opak.
DPAK
Numer Klienta
Klucz. cechy
DPAK Single Bipolar Transistors RoHS
Karta Katalogowaonsemi NJVMJD210T4G
Zgodność z RoHS4 dokumentów dostępnych
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producentonsemi
Opak.DPAK
Operating Temperature-
Quiescent Current-
Features-
Power Supply Rejection Ratio (PSRR)-
Voltage - Supply-
Inputs per Gates-
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >

Opis

Tłumaczenie AI

Designed for low voltage, low-power, high-gain audio amplifier applications.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • High DC Current Gain
  • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
  • High Current-Gain -Bandwidth Product
  • Annular Construction for Low Leakage
  • Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in
  • NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
  • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant