NTE Electronics NTE214

Produttore	NTE Electronics
Cod. Prod.	NTE214
Cod. LCSC	C6622507
Imballo	TO-3P
Numero Cliente
Attr. chiave	60V 2000 10A NPN TO-3P Single Bipolar Transistors RoHS
Scheda Tecnica	NTE Electronics NTE214
Parti alternative	5

Specifiche del Prodotto

Tutto

Tipo	Descrizione
Categoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Produttore	NTE Electronics
Imballo	TO-3P
Vbe Saturation(VBE(sat))	2V
Operating Temperature	-
Current - Collector Cutoff	100uA
Vbe On(VBE(on))	-
Transition frequency(fT)	20MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	60V
Emitter-Base Voltage VEBO	6V
DC Current Gain	2000
Pd - Power Dissipation	2.5W
Current - Collector(Ic)	10A
type	NPN
Vce Saturation(VCE(sat))	1.5V

Tipo	Descrizione
Categoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Produttore	NTE Electronics
Imballo	TO-3P
Vbe Saturation(VBE(sat))	2V
Operating Temperature	-
Current - Collector Cutoff	100uA
Vbe On(VBE(on))	-
Transition frequency(fT)	20MHz

Garanzia su ogni ordine

100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni

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Tipo	Descrizione
Categoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Produttore	NTE Electronics
Imballo	TO-3P
Vbe Saturation(VBE(sat))	2V
Operating Temperature	-
Current - Collector Cutoff	100uA
Vbe On(VBE(on))	-
Transition frequency(fT)	20MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	60V
Emitter-Base Voltage VEBO	6V
DC Current Gain	2000
Pd - Power Dissipation	2.5W
Current - Collector(Ic)	10A
type	NPN
Vce Saturation(VCE(sat))	1.5V

Tipo	Descrizione
Categoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Produttore	NTE Electronics
Imballo	TO-3P
Vbe Saturation(VBE(sat))	2V
Operating Temperature	-
Current - Collector Cutoff	100uA
Vbe On(VBE(on))	-
Transition frequency(fT)	20MHz