LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
VBsemi Elec FCD7N60TM-VB product image
Zdjęcia poglądowe

VBsemi Elec FCD7N60TM-VB

Producent
VBsemi ElecAsian Brands
Nr części prod.
FCD7N60TM-VB
Nr LCSC
C54177001
Opak.
TO-252
Numer Klienta
Klucz. cechy
650V 7A 83W 700mΩ@10V 1 N-channel N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs
Karta KatalogowaVBsemi Elec FCD7N60TM-VB
Części alternatywne5
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProducentVBsemi Elec
Opak.TO-252
Drain to Source Voltage650V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)25pF
Current - Continuous Drain(Id)7A
Ciss-Input Capacitance360pF
Pd - Power Dissipation83W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)12pF
RDS(on)700mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)25nC
Vgs±30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
TypeN-Channel
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • Low figure of merit (FOM): Ron × Qg
  • Low input capacitance (Ciss)
  • Reduced switching and conduction losses
  • Ultra-low gate charge (Qg)
  • Avalanche energy rated (UIS)

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • Server and telecom power supplies
  • Switch Mode Power Supplies (SMPS)
  • Power Factor Correction (PFC) supplies
  • Lighting - High Intensity Discharge (HID) - Fluorescent ballast lighting
  • Industrial applications