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Chao He BZT52C6V2S
| Hersteller | Chao HeAsian Brands |
| Herst.-Teilenr. | BZT52C6V2S |
| LCSC-Nr. | C53373675 |
| Verp. | SOD-323 |
| Kundennummer | |
| Hauptmerkm. | 1 Independent 5.8V~6.6V 6.2V SOD-323 Single Zener Diodes |
| Datenblatt | Chao He BZT52C6V2S |
| Alternativteile | 1 |
Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Hersteller | Chao He | |
| Verp. | SOD-323 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | - | |
| Operating Junction Temperature Range | - | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 3uA@4V | |
| Impedance(Zzt) | 10Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 5.8V~6.6V | |
| Zener Voltage(Nom) | 6.2V | |
| Impedance(Zzk) | 150Ω |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Hersteller | Chao He | |
| Verp. | SOD-323 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | - | |
| Operating Junction Temperature Range | - |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 3uA@4V | |
| Impedance(Zzt) | 10Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 5.8V~6.6V | |
| Zener Voltage(Nom) | 6.2V | |
| Impedance(Zzk) | 150Ω |
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Merkmale
KI-Übersetzung
- Planar chip structure
- 200mW power dissipation on ceramic PCB
- General purpose, medium current
- Ideal for automated assembly processes
- Available in lead-free version
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|---|---|---|
| 50+ | $ 0.0128 | $ 0.64 |
| 500+ | $ 0.01 | $ 5.00 |
| 3,000+ | $ 0.0085 | $ 25.50 |
| 6,000+ | $ 0.0076 | $ 45.60 |
| 24,000+ | $ 0.0068 | $ 163.20 |
| 51,000+ | $ 0.0064 | $ 326.40 |
Standardgehäuse3000/Full Reel | ||
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Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Hersteller | Chao He | |
| Verp. | SOD-323 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | - | |
| Operating Junction Temperature Range | - | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 3uA@4V | |
| Impedance(Zzt) | 10Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 5.8V~6.6V | |
| Zener Voltage(Nom) | 6.2V | |
| Impedance(Zzk) | 150Ω |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Hersteller | Chao He | |
| Verp. | SOD-323 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | - | |
| Operating Junction Temperature Range | - |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 3uA@4V | |
| Impedance(Zzt) | 10Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 5.8V~6.6V | |
| Zener Voltage(Nom) | 6.2V | |
| Impedance(Zzk) | 150Ω |
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Merkmale
KI-Übersetzung
- Planar chip structure
- 200mW power dissipation on ceramic PCB
- General purpose, medium current
- Ideal for automated assembly processes
- Available in lead-free version
Compliance & Exportcodes
| Typ | Details |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| Typ | Details |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| Typ | Details |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
Alternativteile
| MPN | Hersteller | Alternativtyp | Verpackung | Verfügbarkeit | Stückpreis | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZT52B6V2S | Chao He | Ähnliche | SOD-323 | 2,980 | $ 0.0231 |