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R+O BZX884B5V1
| Fabricante | R+OAsian Brands |
| Cód. da peça | BZX884B5V1 |
| Nº LCSC | C53238086 |
| Emb. | DFN1006-2L |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | 1 Independent 5V~5.2V 5.1V DFN1006-2L Single Zener Diodes |
| Folha de Dados | R+O BZX884B5V1 |
| Peças alternativas | 2 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Fabricante | R+O | |
| Emb. | DFN1006-2L | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | - | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 250mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 2uA@2V | |
| Impedance(Zzt) | 60Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 5V~5.2V | |
| Zener Voltage(Nom) | 5.1V | |
| Impedance(Zzk) | 480Ω |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Fabricante | R+O | |
| Emb. | DFN1006-2L | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | - | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 250mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 2uA@2V | |
| Impedance(Zzt) | 60Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 5V~5.2V | |
| Zener Voltage(Nom) | 5.1V | |
| Impedance(Zzk) | 480Ω |
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Recursos
Tradução por IA
- Low zener impedance
- 250mW power dissipation
- Planar chip construction
- Meets MSL Level 1 per J-STD-020, LF max peak 260°C
Aplicações
Tradução por IA
- Reference voltage source in regulated power supplies
- Protection diode in overvoltage protection circuits
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Em estoque: 18,560
18,560 Em estoque, envio imediato
Mínimo: 20Múltiplo: 20Unidade de venda: Piece
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| Qtd. | Preço unit. | Valor total |
|---|---|---|
| 20+ | $ 0.0281 | $ 0.56 |
| 200+ | $ 0.0221 | $ 4.42 |
| 600+ | $ 0.0187 | $ 11.22 |
| 2,000+ | $ 0.0167 | $ 33.40 |
| 10,000+ | $ 0.0149 | $ 149.00 |
| 20,000+ | $ 0.014 | $ 280.00 |
Encapsulamento Padrão10000/Full Reel | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Fabricante | R+O | |
| Emb. | DFN1006-2L | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | - | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 250mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 2uA@2V | |
| Impedance(Zzt) | 60Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 5V~5.2V | |
| Zener Voltage(Nom) | 5.1V | |
| Impedance(Zzk) | 480Ω |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Fabricante | R+O | |
| Emb. | DFN1006-2L | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | - | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 250mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 2uA@2V | |
| Impedance(Zzt) | 60Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 5V~5.2V | |
| Zener Voltage(Nom) | 5.1V | |
| Impedance(Zzk) | 480Ω |
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Recursos
Tradução por IA
- Low zener impedance
- 250mW power dissipation
- Planar chip construction
- Meets MSL Level 1 per J-STD-020, LF max peak 260°C
Aplicações
Tradução por IA
- Reference voltage source in regulated power supplies
- Protection diode in overvoltage protection circuits
C53238086 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Tipo alternativo | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX884B4V7 | R+O | Similares | DFN1006-2L | 9,640 | $ 0.0337 | ||
| BZX884B5V6 | R+O | Similares | DFN1006-2L | 5,060 | $ 0.0278 |