LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
ElecSuper FDN337N(ES) product image
  • FDN337N(ES) thumbnail 1
  • FDN337N(ES) thumbnail 2
  • FDN337N(ES) thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

ElecSuper FDN337N(ES)

Producent
ElecSuperAsian Brands
Nr części prod.
FDN337N(ES)
Nr LCSC
C53199112
Opak.
SOT-23-3L
Numer Klienta
Klucz. cechy
1.4W 30V 5.8A 21mΩ@10V 1 N-channel N-Channel SOT-23-3L Single FETs, MOSFETs
Karta KatalogowaElecSuper FDN337N(ES)
Części alternatywne5
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProducentElecSuper
Opak.SOT-23-3L
Output Capacitance(Coss)62pF
Ciss-Input Capacitance550pF
Pd - Power Dissipation1.4W
Configuration-
Operating Temperature-
Drain to Source Voltage30V
Current - Continuous Drain(Id)5.8A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)48pF
RDS(on)21mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)6.7nC
Vgs±12V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1V
TypeN-Channel
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >

Opis

Tłumaczenie AI

FDN337N(ES) is an N-channel enhancement-mode MOSFET. The device employs advanced trench technology and design to deliver superior on-resistance at low gate charge. It is suitable for DC-DC conversion, power switching, and charging circuits. The standard product FDN337N(ES) is lead-free.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • 30V, RDS(ON) = 21mΩ (typ.) @ VGS = 10V
  • RDS(ON) = 25mΩ (typ.) @ VGS = 4.5V
  • Trench MOSFET technology
  • High-density cell design for low on-resistance
  • Material: Halogen-free
  • Reliable and robust
  • Avalanche-rated
  • Low leakage current

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • PWM applications
  • Load switching
  • Portable/desktop computer power management
  • DC-DC conversion