LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Entrar
USD
20% OFF
HXY MOSFET SIRA84BDP-T1-GE3-HXY product image
  • SIRA84BDP-T1-GE3-HXY thumbnail 1
  • SIRA84BDP-T1-GE3-HXY thumbnail 2
  • SIRA84BDP-T1-GE3-HXY thumbnail 3
  • Pinagem
  • Footprint
Imagens ilustrativas

HXY MOSFET SIRA84BDP-T1-GE3-HXY

Fabricante
HXY MOSFETAsian Brands
Cód. da peça
SIRA84BDP-T1-GE3-HXY
Nº LCSC
C51949297
Emb.
DFN-8L(5x6)
Número do Cliente
Atrib. princ.
115W 30V 120A 2.6mΩ@10V 1 N-channel N-Channel DFN-8L(5x6) Single FETs, MOSFETs
Folha de DadosHXY MOSFET SIRA84BDP-T1-GE3-HXY
Peças alternativas5
Garantia em cada pedido
100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias
Em estoque: 445
445 Em estoque, envio imediato
Mínimo: 5Múltiplo: 5Unidade de venda: Piece
Adicionar à Lista BOM
Qtd.Preço unit.Valor total
5+$ 0.3577$ 0.2862$ 1.43
50+$ 0.2833$ 0.2267$ 11.34
150+$ 0.2515$ 0.2012$ 30.18
500+$ 0.2117$ 0.1694$ 84.70
2,500+$ 0.194$ 0.1552$ 388.00
5,000+$ 0.1834$ 0.1468$ 734.00
Encapsulamento Padrão5000/Full Reel
Melhor preço para maior quantidade?
$

Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteHXY MOSFET
Emb.DFN-8L(5x6)
Output Capacitance(Coss)480pF
Ciss-Input Capacitance2.218nF
Pd - Power Dissipation115W
Operating Temperature-55℃~+175℃
ConfigurationStandalone
Drain to Source Voltage30V
Current - Continuous Drain(Id)120A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)340pF
RDS(on)2.6mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)24nC@15V
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.6V
TypeN-Channel

Peças alternativas

MPNFabricanteTipo alternativoEmbalagemDisponibilidadePreço unitário
BSC0504NSI-HXYHXY MOSFETSimilaresDFN-8L(5x6)97$0.5014 $0.6267
CSD17505Q5A-HXYHXY MOSFETSimilaresDFN-8L(5x6)98$0.9468 $1.1835
ISC037N03L5ISATMA1-HXYHXY MOSFETSimilaresDFN-8L(5x6)80$0.3124 $0.3905
NTMFS4936NCT1G-HXYHXY MOSFETSimilaresDFN-8L(5x6)98$0.6572 $0.8215
AON6384-HXYHXY MOSFETSimilaresDFN-8L(5x6)97$0.3851 $0.453