Applied Power CM3407
| Fabricante | Applied PowerAsian Brands |
| Cód. da peça | CM3407 |
| Nº LCSC | C5183026 |
| Emb. | SOT-23 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET 30V 4.1A SOT-23 |
| Folha de Dados | Applied Power CM3407 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Applied Power | |
| Emb. | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 73pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 590pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 56pF | |
| RDS(on) | 40mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 7nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Applied Power | |
| Emb. | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 73pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 590pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 56pF | |
| RDS(on) | 40mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 7nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | P-Channel |
Ajuda e FeedbackMostrar produtos similares (0) >
Descrição
Tradução por IA
CM3407 is the P-Channel enhancement mode power field effect transistors with high cell density, trench technology. This high density process and design have been optimized switching performance and especially tailored to minimize on-state resistance.
Recursos
Tradução por IA
- VDS: -30V ID: -4.1A
- RDS(on) (@Vos = -10V): <55mΩ
- RDS(on) (@Vos = -4.5V): <68mΩ
- High density cell design for extremely low RDS(on)
- Excellent on-resistance and DC current capability
Aplicações
Tradução por IA
- Cellular Handsets and Accessories
- Personal Digital Assistants
- Portable Instrumentation
- Load switch
Garantia em cada pedido
100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias
Não disponível no momento
Mínimo: 10Múltiplo: 10Unidade de venda: Piece
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Applied Power | |
| Emb. | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 73pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 590pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 56pF | |
| RDS(on) | 40mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 7nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Applied Power | |
| Emb. | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 73pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 590pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 56pF | |
| RDS(on) | 40mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 7nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | P-Channel |
Ajuda e FeedbackMostrar produtos similares (0) >
Descrição
Tradução por IA
CM3407 is the P-Channel enhancement mode power field effect transistors with high cell density, trench technology. This high density process and design have been optimized switching performance and especially tailored to minimize on-state resistance.
Recursos
Tradução por IA
- VDS: -30V ID: -4.1A
- RDS(on) (@Vos = -10V): <55mΩ
- RDS(on) (@Vos = -4.5V): <68mΩ
- High density cell design for extremely low RDS(on)
- Excellent on-resistance and DC current capability
Aplicações
Tradução por IA
- Cellular Handsets and Accessories
- Personal Digital Assistants
- Portable Instrumentation
- Load switch
C5183026 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |



