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Modelli EDAEasyEDA
Agertech ATM3415KPSA
| Produttore | AgertechAsian Brands |
| Cod. Prod. | ATM3415KPSA |
| Cod. LCSC | C5141744 |
| Imballo | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 |
| Scheda Tecnica | Agertech ATM3415KPSA |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Agertech | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 121.3pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1811nF | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 114.8pF | |
| RDS(on) | 45mΩ@2.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 10.2nC@10V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 650mV | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Agertech | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 121.3pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1811nF | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 114.8pF | |
| RDS(on) | 45mΩ@2.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 10.2nC@10V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 650mV | |
| Type | P-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low gate charge
- High density cell design for ultra low RDS(on)
- ESD protected(HBM) up to 2KV
Applicazioni
Traduzione AI
- Load switch
- PWM applications
- Power management
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Agertech | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 121.3pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1811nF | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 114.8pF | |
| RDS(on) | 45mΩ@2.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 10.2nC@10V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 650mV | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Agertech | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 121.3pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1811nF | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 114.8pF | |
| RDS(on) | 45mΩ@2.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 10.2nC@10V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 650mV | |
| Type | P-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Low gate charge
- High density cell design for ultra low RDS(on)
- ESD protected(HBM) up to 2KV
Applicazioni
Traduzione AI
- Load switch
- PWM applications
- Power management
C5141744 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |