- Rozmieszczenie wyprowadzeń
- Footprint
Zdjęcia poglądowe
Modele EDAEasyEDA
JSMSEMI SHY19P03D
| Producent | JSMSEMIAsian Brands |
| Nr części prod. | SHY19P03D |
| Nr LCSC | C49206898 |
| Opak. | TO-252 |
| Numer Klienta | |
| Klucz. cechy | MOSFET P-CH 30V 15A TO-252 |
| Karta Katalogowa | JSMSEMI SHY19P03D |
| Zgodność z RoHS | 6 dokumentów dostępnych |
| Części alternatywne | 5 |
Specyfikacje Produktu
Wszystko
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | JSMSEMI | |
| Opak. | TO-252 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 640pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| RDS(on) | 5mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC | |
| Type | P-Channel |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | JSMSEMI | |
| Opak. | TO-252 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 640pF |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| RDS(on) | 5mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC | |
| Type | P-Channel |
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >
Opis
Tłumaczenie AI
SHY19P03D is a P-channel enhancement-mode power MOSFET fabricated using advanced high cell density trench technology. This high-density process is specifically designed to minimize on-resistance. These devices are particularly suited for power management DC-DC converters in low-voltage applications.
Funkcje
Tłumaczenie AI
- RDS(ON) = 5.0mΩ (typ.) @VGS = -10V
- RDS(ON) = 6.0mΩ (typ.) @VGS = -4.5V
- Ultra-low RDS(ON) optimized design
- Excellent on-resistance and maximum DC current capability
- Fully RoHS compliant
- TO252 package
- 100% UIS tested
- 100% Rg tested
Zastosowania
Tłumaczenie AI
- Power Management
- DC/DC Converters
- Load Switches
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni
Na stanie: 865
865 W magazynie, wysyłka natychmiastowa
Minimum: 5Wielokrotność: 5Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
| Szt. | Cena jedn. | Suma całkowita |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.2308 | $ 1.15 |
| 50+ | $ 0.1832 | $ 9.16 |
| 150+ | $ 0.1627 | $ 24.41 |
| 500+ | $ 0.1373 | $ 68.65 |
| 2,500+ | $ 0.1297 | $ 324.25 |
| 5,000+ | $ 0.1229 | $ 614.50 |
Standardowa Obudowa2500/Full Reel | ||
Lepsza cena za większą ilość?
$
Specyfikacje Produktu
Wszystko
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | JSMSEMI | |
| Opak. | TO-252 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 640pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| RDS(on) | 5mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC | |
| Type | P-Channel |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | JSMSEMI | |
| Opak. | TO-252 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 640pF |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| RDS(on) | 5mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC | |
| Type | P-Channel |
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >
Opis
Tłumaczenie AI
SHY19P03D is a P-channel enhancement-mode power MOSFET fabricated using advanced high cell density trench technology. This high-density process is specifically designed to minimize on-resistance. These devices are particularly suited for power management DC-DC converters in low-voltage applications.
Funkcje
Tłumaczenie AI
- RDS(ON) = 5.0mΩ (typ.) @VGS = -10V
- RDS(ON) = 6.0mΩ (typ.) @VGS = -4.5V
- Ultra-low RDS(ON) optimized design
- Excellent on-resistance and maximum DC current capability
- Fully RoHS compliant
- TO252 package
- 100% UIS tested
- 100% Rg tested
Zastosowania
Tłumaczenie AI
- Power Management
- DC/DC Converters
- Load Switches
C49206898 Biblioteka EasyEDA
Zgodność & Kody Eksportowe
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Części alternatywne
| MPN | Producent | Typ alternatywny | Opakowanie | Dostępność | Cena jednostkowa | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOD417 | JSMSEMI | Podobne | TO-252 | 4,830 | $0.1548 $0.1629 | ||
| IRFR5305-JSM | JSMSEMI | Podobne | TO-252 | 11,318 | $0.4562 $0.4802 | ||
| AOD403 | JSMSEMI | Podobne | TO-252 | 4,770 | $0.2705 $0.2847 | ||
| FR5305-S-JSM | JSMSEMI | Podobne | TO-252 | 2,500 | $ 0.2782 | ||
| SIRFR5305TRPBF | JSMSEMI | Podobne | TO-252 | 2,410 | $ 0.4884 |