LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
5% OFF
XNRUSEMI XRS110P06T product image
  • XRS110P06T thumbnail 1
  • XRS110P06T thumbnail 2
  • XRS110P06T thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

XNRUSEMI XRS110P06T

Producent
XNRUSEMIAsian Brands
Nr części prod.
XRS110P06T
Nr LCSC
C42457126
Opak.
TO-220AB
Numer Klienta
Klucz. cechy
MOSFET P-CH 60V 110A TO-220AB
Karta KatalogowaXNRUSEMI XRS110P06T
Zgodność z RoHS2 dokumentów dostępnych
Części alternatywne3
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni
Na stanie: 32
32 W magazynie, wysyłka natychmiastowa
Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
Szt.Cena jedn.Suma całkowita
1+$ 1.3127$ 1.2471$ 1.25
10+$ 1.0964$ 1.0416$ 10.42
50+$ 0.9768$ 0.9280$ 46.40
100+$ 0.8424$ 0.8003$ 80.03
500+$ 0.7818$ 0.7428$ 371.40
1,000+$ 0.7539$ 0.7163$ 716.30
Standardowa Obudowa50/Full Tube
Lepsza cena za większą ilość?
$

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProducentXNRUSEMI
Opak.TO-220AB
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage60V
Current - Continuous Drain(Id)110A
Output Capacitance(Coss)941pF
Ciss-Input Capacitance5.403nF
Pd - Power Dissipation180W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)48pF
RDS(on)5.5mΩ@10V
Number1 P-Channel
Gate Charge(Qg)80.2nC@30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2V
TypeP-Channel

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • Split-gate trench MOSFET technology
  • Superior thermal dissipation package
  • High-density cell design for low R<sub>DS(ON)</sub>

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • DC-DC converter
  • Power management
  • Synchronous rectification applications

Części alternatywne

MPNProducentTyp alternatywnyOpakowanieDostępnośćCena jednostkowa
XRS120P10TXNRUSEMIPodobneTO-220AB69$1.5756 $1.6585
XRS150P06TXNRUSEMIPodobneTO-220AB20$1.6582 $1.7454
XRS150P10TXNRUSEMIPodobneTO-220AB50$2.0868 $2.1966