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AOS AOB20S60L
| Fabricante | |
| Cód. da peça | AOB20S60L |
| Nº LCSC | C3281573 |
| Emb. | TO-263(D2Pak) |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | 600V 20A 266W 199mΩ@10V 1 N-channel TO-263(D2Pak) Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Folha de Dados | AOS AOB20S60L |
| Conformidade RoHS | 2 documentos disponíveis |
| Peças alternativas | 5 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | AOS | |
| Emb. | TO-263(D2Pak) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.038nF | |
| Pd - Power Dissipation | 266W | |
| RDS(on) | 199mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 19.8nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.1V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | AOS | |
| Emb. | TO-263(D2Pak) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 1.038nF | |
| Pd - Power Dissipation | 266W | |
| RDS(on) | 199mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 19.8nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.1V |
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|---|---|---|
| 1+ | $ 1.9797 | $ 1.98 |
| 200+ | $ 0.7669 | $ 153.38 |
| 500+ | $ 0.7391 | $ 369.55 |
| 800+ | $ 0.7268 | $ 581.44 |
Encapsulamento Padrão800/Full Reel | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | AOS | |
| Emb. | TO-263(D2Pak) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.038nF | |
| Pd - Power Dissipation | 266W | |
| RDS(on) | 199mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 19.8nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.1V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | AOS | |
| Emb. | TO-263(D2Pak) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 1.038nF | |
| Pd - Power Dissipation | 266W | |
| RDS(on) | 199mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 19.8nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.1V |
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C3281573 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Tipo alternativo | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| R6020ENJTL | ROHM | Similares | TO-263 | 3 | $ 4.1477 | ||
| BMB65N100UC1 | Bestirpower | Similares | D2PAK | 10 | $ 1.6159 | ||
| SIHB24N65E-GE3 | VISHAY | Similares | D2PAK(TO-263) | 5 | $ 4.8329 | ||
| BMB80N180C1 | Bestirpower | Similares | TO-263-2L | 25 | $ 1.8182 | ||
| SIHB30N60E-GE3 | VISHAY | Similares | D2PAK(TO-263) | 10 | $ 4.2754 |