GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D

Fabricante	GeneSiC Semiconductor
N.º de pieza fab.	G3R40MT12D
Nº LCSC	C3281044
Emb.	TO-247-3
Número de Cliente
Atrib. clave	1.2kV N-Channel TO-247-3 Single FETs, MOSFETs RoHS
Hoja de Datos	GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D

Especificaciones del Producto

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Emb.	TO-247-3
Drain to Source Voltage	1.2kV
Current - Continuous Drain(Id)	-
Pd - Power Dissipation	-
Type	N-Channel

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Emb.	TO-247-3
Drain to Source Voltage	1.2kV

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Cant.	Prec. unit.(Solo como referencia)	Importo total
1+	$ 18.1191	$ 18.12
200+	$ 7.0123	$ 1402.46
500+	$ 6.7659	$ 3382.95
1,000+	$ 6.6444	$ 6644.40
Encapsulado Estándar30/Full Tube

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Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Emb.	TO-247-3
Drain to Source Voltage	1.2kV
Current - Continuous Drain(Id)	-
Pd - Power Dissipation	-
Type	N-Channel

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Emb.	TO-247-3
Drain to Source Voltage	1.2kV