YANGJIE YJS4953B
| 제조업체 | YANGJIEAsian Brands |
| 제조사 품번 | YJS4953B |
| LCSC 번호 | C20605954 |
| 포장 | SOP-8-Dual |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 2W 30V 5.1A 43mΩ@10V 2 P-Channel P-Channel SOP-8-Dual Single FETs, MOSFETs RoHS |
| 데이터시트 | YANGJIE YJS4953B |
| RoHS 준수 | 1개 문서 이용 가능 |
| 대체 부품 | 1 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | YANGJIE | |
| 포장 | SOP-8-Dual | |
| Output Capacitance(Coss) | 75pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 490pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Operating Temperature | - | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.1A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 60pF | |
| RDS(on) | 43mΩ@10V | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | YANGJIE | |
| 포장 | SOP-8-Dual | |
| Output Capacitance(Coss) | 75pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 490pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Operating Temperature | - | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 30V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.1A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 60pF | |
| RDS(on) | 43mΩ@10V | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | P-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
개요
AI 번역
- Trench power low-voltage MOSFET technology
- High-density cell design for low RDS(ON)
- High-speed switching
- Moisture sensitivity level 3
- Epoxy molding compound compliant with UL 94 V-0 flammability rating
- Halogen-free
응용 분야
AI 번역
- Wireless Charger - Load Switch - Power Management
모든 주문 보장
100% 정품 · 30일 반품 또는 교환
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | YANGJIE | |
| 포장 | SOP-8-Dual | |
| Output Capacitance(Coss) | 75pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 490pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Operating Temperature | - | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.1A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 60pF | |
| RDS(on) | 43mΩ@10V | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | YANGJIE | |
| 포장 | SOP-8-Dual | |
| Output Capacitance(Coss) | 75pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 490pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Operating Temperature | - | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 30V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.1A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 60pF | |
| RDS(on) | 43mΩ@10V | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | P-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
개요
AI 번역
- Trench power low-voltage MOSFET technology
- High-density cell design for low RDS(ON)
- High-speed switching
- Moisture sensitivity level 3
- Epoxy molding compound compliant with UL 94 V-0 flammability rating
- Halogen-free
응용 분야
AI 번역
- Wireless Charger - Load Switch - Power Management
C20605954 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |



